Instytut Podstawowych Problemów Techniki
Polskiej Akademii Nauk

Partnerzy

A. Kahouli


Abstrakty konferencyjne
1.  Young T.D., Teisseyre H., Dłużewski P., Kahouli A., Kriouche N., Brault J., Damilano B., Leroux M., Courville A., de Mierry P., GaN/AlGaN (11-22) semipolar nanostructures: Observations by theory and experiment, 41st International School and Conference on the Physics of Semiconductors, 2012-06-08/06-15, Krynica-Zdrój (PL), pp.1, 2012
2.  Young T.D., Teisseyre H., Brault J., Kahouli A., Vennegues P., Leroux M., Courville A., de Mierry P., Damilano B., Dłużewski P., Optoelectronic properties of a GaN quantum dot grown on a Al0.5Ga0.5N (1122)-orientated surface, IWN 2012, International Workshop on Nitride Semiconductors, 2012-10-14/10-19, Sapporo (JP), pp.1-2, 2012

Kategoria A Plus

IPPT PAN

logo ippt            ul. Pawińskiego 5B, 02-106 Warszawa
  +48 22 826 12 81 (centrala)
  +48 22 826 98 15
 

Znajdź nas

mapka
© Instytut Podstawowych Problemów Techniki Polskiej Akademii Nauk 2024