Instytut Podstawowych Problemów Techniki
Polskiej Akademii Nauk

Partnerzy

J. Kossut

Institute of Physics, Polish Academy of Sciences (PL)

Ostatnie publikacje
1.  Roszkiewicz A., Wojciechowski T., Nasalski W., Kossut J., Raport z formowania struktury soczewki Fresnela i pomiarów jej własności ogniskujących, IPPT Reports on Fundamental Technological Research, ISSN: 2299-3657, Vol.1, pp.1-15, 2020

Streszczenie:
Raport zawiera graficzny zestaw wyników prac prowadzonych w okresie październik 2019 - marzec 2020 w ramach współpracy pomiędzy IPPT PAN i IF PAN. Prace prowadzone w IF PAN dotyczyły nałożenia warstwy złota na płytkę kwarcu i grawerowania w tej warstwie struktury jednowymiarowej soczewki Fresnela. Prace prowadzone w IPPT PAN dotyczyły wyznaczania parametrów geometrycznych wygrawerowanej struktury i charakterystyk jej oddziaływania z padającym polem optycznym. Prace eksperymentalne obu zespołów badawczych pozwoliły na precyzyjne sformowanie jednowymiarowej struktury ogniskującej typu płytki strefowej Fresnela (Fresnel Zone Plate - FZP) o właściwościach zgodnych z wynikami symulacji numerycznych.

Afiliacje autorów:
Roszkiewicz A. - IPPT PAN
Wojciechowski T. - Institute of Physics, Polish Academy of Sciences (PL)
Nasalski W. - IPPT PAN
Kossut J. - Institute of Physics, Polish Academy of Sciences (PL)
2.  Wojnar P., Zieliński M., Janik E., Zaleszczyk W., Wojciechowski T., Wojnar R., Szymura M., Kłopotowski Ł., Baczewski L.T., Pietruchik A., Wiater M., Kret S., Karczewski G., Wojtowicz T., Kossut J., Strain-induced energy gap variation in ZnTe/ZnMgTe core/shell nanowires, APPLIED PHYSICS LETTERS, ISSN: 0003-6951, DOI: 10.1063/1.4873355, Vol.104, pp.163111-1-5, 2014

Streszczenie:
Strain-induced changes of ZnTe energy gap in ZnTe/ZnMgTe core/shell nanowires arising from lattice mismatch between the core and the shell semiconductor are studied by means of optical methods. It is shown that the increase of the Mg content in the shell, as well as the increase of the shell thickness result in an effective redshift of the near band edge photoluminescence from ZnTe nanowire cores, which reflects directly the decrease of energy gap under tensile strain conditions. The conclusions are supported by theoretical calculations in terms of the valence force field model. The observed change of ZnTe energy gap can be as large as 120 meV with respect to the unstrained conditions and can be tuned in a continuous manner by adjusting shell parameters, which open a path towards an effective band gap engineering in these structures.

Słowa kluczowe:
Nanowires, II-VI semiconductors, Magnesium, Band gap, Quantum effects

Afiliacje autorów:
Wojnar P. - Institute of Physics, Polish Academy of Sciences (PL)
Zieliński M. - inna afiliacja
Janik E. - inna afiliacja
Zaleszczyk W. - inna afiliacja
Wojciechowski T. - Institute of Physics, Polish Academy of Sciences (PL)
Wojnar R. - IPPT PAN
Szymura M. - inna afiliacja
Kłopotowski Ł. - inna afiliacja
Baczewski L.T. - Institute of Physics, Polish Academy of Sciences (PL)
Pietruchik A. - Institute of Physics, Polish Academy of Sciences (PL)
Wiater M. - Institute of Physics, Polish Academy of Sciences (PL)
Kret S. - Institute of Physics, Polish Academy of Sciences (PL)
Karczewski G. - inna afiliacja
Wojtowicz T. - Institute of Physics, Polish Academy of Sciences (PL)
Kossut J. - Institute of Physics, Polish Academy of Sciences (PL)
40p.

Kategoria A Plus

IPPT PAN

logo ippt            ul. Pawińskiego 5B, 02-106 Warszawa
  +48 22 826 12 81 (centrala)
  +48 22 826 98 15
 

Znajdź nas

mapka
© Instytut Podstawowych Problemów Techniki Polskiej Akademii Nauk 2024