Instytut Podstawowych Problemów Techniki
Polskiej Akademii Nauk

Partnerzy

M. Bilska


Abstrakty konferencyjne
1.  Kret S., Bilska M., Ivaldi F., Leszczyński M., Czernecki R., Dłużewski P., Jurczak G., Young T.D., Determination of the nanoscale structural properties of the InAlN based devices by advanced TEM methods, E-MRS 2012 FALL MEETING, 2012-09-17/09-21, Warszawa (PL), pp.1, 2012

Słowa kluczowe:
III-V semiconductors, piezoelectricity, high resolution transmission electron microscopy, band edge structure

Afiliacje autorów:
Kret S. - Institute of Physics, Polish Academy of Sciences (PL)
Bilska M. - inna afiliacja
Ivaldi F. - inna afiliacja
Leszczyński M. - inna afiliacja
Czernecki R. - inna afiliacja
Dłużewski P. - IPPT PAN
Jurczak G. - IPPT PAN
Young T.D. - IPPT PAN

Kategoria A Plus

IPPT PAN

logo ippt            ul. Pawińskiego 5B, 02-106 Warszawa
  +48 22 826 12 81 (centrala)
  +48 22 826 98 15
 

Znajdź nas

mapka
© Instytut Podstawowych Problemów Techniki Polskiej Akademii Nauk 2024