Instytut Podstawowych Problemów Techniki
Polskiej Akademii Nauk

Partnerzy

M. Reufer


Prace konferencyjne
1.  Piechal B., Maciejewski G., Bercha A., Reufer M., Gomez-Iglesias A., Trzeciakowski W., Anomalous Energy Shifts Of The QW‐Transitions In Red‐Emitting (Al)InGaP Laser Diodes Tuned By Pressure, 30th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2010-07-25/07-30, Seoul (KR), DOI: 10.1063/1.3666694, pp.955-956, 2011

Streszczenie:
We present the differential photocurrent (DPC) measurements made on set of identical (Al)InGaP red emitting lasers under pressures up to 2GPa. We find that the strains applied by the submount change the pressure tuning rate from 80meV/GPa for the samples mounted on compressibility matched submounts down to about 20–50meV/GPa for the ones mounted on hard A1N or diamond submounts. The findings are discussed with the help of finite element (FE) calculations of the strains in the active layers.

Słowa kluczowe:
Finite element methods, Active layer, Diamond, Laser diodes, Photoelectric conversion

Afiliacje autorów:
Piechal B. - inna afiliacja
Maciejewski G. - IPPT PAN
Bercha A. - inna afiliacja
Reufer M. - inna afiliacja
Gomez-Iglesias A. - inna afiliacja
Trzeciakowski W. - inna afiliacja
10p.

Kategoria A Plus

IPPT PAN

logo ippt            ul. Pawińskiego 5B, 02-106 Warszawa
  +48 22 826 12 81 (centrala)
  +48 22 826 98 15
 

Znajdź nas

mapka
© Instytut Podstawowych Problemów Techniki Polskiej Akademii Nauk 2024